FIB/TEM制样与分析服务

     广电计量的资质能力处于行业*水平，截止至2021年12月31日，CNAS认可7166项，CMA认可59345个参数，CATL认可覆盖 58个类别；在支撑各区域产业⾼质量发展过程中，广电计量还获得政府、行业及社会组织颁发的资质荣誉100余项。
我司集成电路检测试验可对包括晶圆、半导体器件提供微观结构分析、材料形貌分析、膜层分析、成分分析等检测分析服务。 

晶圆制造工艺分析：
1、14nm及以上制程芯片晶囿制造工艺分析
2、MOSFET制造工艺分析
3、存储芯片制造工艺分析

芯片失效分析：
1、芯片失效点位置分析，包含漏电、短路、烧毁、异物等异常失效点位的平面制样分析、截面制样分析以及平面转截面分析。
包含形貌观察、尺寸量测、成分分析，可精准到1.0 nm以内。
2、芯片制造工艺缺陷分析，包含形貌观察、尺寸量测、成分分析，可精准到1.0 nm以内。

芯片逆向分析：

1.芯片关键工艺结构剖析，包含尺寸量测、成分分析等。 

半导体器件失效分析 ：

1.MOSFET、VCSEL等半导体器件失效点位置分析，包含形貌观察、尺寸量测、成分分析，可精准到1.0 nm以内。

芯片及半导体器件封装工艺分析：

1.封装工艺异常分析，如TSV孔、Via孔、RDL布线层异常分析。 

半导体工艺分析：

1.刻蚀工艺、镀膜工艺等半导体工艺分析 

材料分析：

1.材料成分分析、晶型分析、晶格缺陷分析、原子级高分辨分析等