光折变效应是一种通过光强的空间变化来改变局部折射率的现象。在光折变材料中，当相干光相互干扰时观察到，光折变材料形成了空间变化的照明模式。这种效果可以用来存储临时的、可擦除的全息图，也称为全息数据存储。它也可以用来制造相位共轭镜或光学空间孤子。Optogama提供4Lasers品牌的BSO，Fe：LiNbO3、SBN和BGO晶体主要用于开发光折变效应的应用。
铌酸锂(LiNbO)3掺杂铁(Fe：LiNbO)的LN晶体3)具有高的光折变灵敏度、高的电光系数和衍射效率、化学力学性能，是一种很有吸引力的光折变材料。Fe：LiNbO3晶体采用Czochralsky法生长，尺寸大。广泛的可用掺杂剂和水平可以调整特定应用的材料性能。更重要的是，Fe：Linbo3晶体操作方便，成本低，适合批量生产。
SBN晶体晶体具有优良的光学和光折变性能。它们表面上是纯的，被Ce，Cr，Co或Fe掺杂。不同成分的SBN晶体在电光、声光、光折变、非线性光学等领域有着广泛的应用。包裹体和其它非均匀性SBN晶体，采用改进的Stepanov法生长，线性尺寸可达40 mm。
锗酸铋（Bi12GeO20，BGO）晶体是具有低暗电导率的高效光电导体，可以积累大量光致空间电荷。
硅酸铋(Bi)12SiO20，bso)晶体是一种高效率的光导材料，暗导率低，允许大量的光诱导空间电荷的积累。巨大的光电导性和电光特性提高了BSO晶体的应用范围：空间光调制器、光开关、相位共轭混合器。Optogama用改进的Czochralski法生长了BSO晶体，其孔径可达3英寸。
硅酸铋晶体主要特点：
-高电光系数(r41=5pm/v)
-高相位共轭效率
-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。
-可根据要求定制
BSO晶体主要应用：
-空间光调制器
-光开关
-相位共轭混合器。
BSO晶体的技术特性：
|
化学公式 |
Bi12SiO20 |
|
晶体结构 |
立方体，点编组23 |
|
晶格参数 |
10.10 a |
|
密度 |
9.2克/cm3 |
|
Mohs硬度 |
5 |
|
透明度范围 |
0.45-6μm |
|
折射率 |
2.5 |
|
光学活性 |
42deg/mm |
|
电光系数 |
r41 = 5 pm/V |
|
介电常数(低频) |
56 |
|
暗电阻 |
1014 Ohm cm |
BSO晶体的产品规格：
|
透明孔径 |
85 % |
|
面尺寸公差 |
+0/-0.2毫米 |
|
厚度公差 |
±0.2毫米 |
|
平行度误差 |
<30 arcsec |
|
保护槽 |
<0.3 mm at 45° |
|
表面质量 |
40-20 S-D |
|
波前畸变 |
<λ/4@6328 nm |
|
涂层 |
无涂层 |
硅酸铋晶体产品型号
|
SKU |
面尺寸 |
厚度 |
定向 |
价格（RMB） |
|
1558 |
30×30毫米 |
1.0毫米 |
[110] |
5500 |
|
6880 |
20x20毫米 |
1.0毫米 |
[110] |
4500 |
|
6881 |
20x20毫米 |
1.0毫米 |
[100] |
4500 |
|
6882 |
10x10毫米 |
5毫米 |
[110] |
6500 |
|
6883 |
10x10毫米 |
5毫米 |
[100] |
6500 |
|
6884 |
5x5毫米 |
5毫米 |
[110] |
4800 |
|
6885 |
5x5毫米 |
5毫米 |
[100] |
4900 |
|
9095 |
30×30毫米 |
1.5毫米 |
[110] |
5600 |
铌酸锂晶体主要特点：
-高电光系数(r41=5pm/v)
-高相位共轭效率
-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。
-可根据要求定制
LiNbO3晶体的主要应用：
-空间光调制器
-光开关
-全息记录
-光波导
LiNbO3晶体技术特性：
|
化学公式 |
Fe：LiNbO3 |
|
晶体结构 |
三角形，3m |
|
密度 |
4.64克/cm3 |
|
Mohs硬度 |
5 |
|
透明度范围 |
0.35-5.5μm |
|
折射率@0，63μm |
ne = 2.20, no = 2,29 |
|
电光系数 |
r22 = 6,8 pm/V,r31 = 10 pm/V,r33 = 32 pm/V |
|
介电常数 |
e11 = 85,e33 = 30 |
铌酸锂晶体产品规格：
|
Fe2O3 |
0.1 mol. %，0.05 mol. %，0.03 mol. %，0.02 mol. % |
|
定向 |
90°切割(X-切割，Y-切割) |
|
透明孔径 |
85 % |
|
面尺寸公差 |
+0/-0.2毫米 |
|
厚度公差 |
±0.2毫米 |
|
平行度误差 |
<3 arcmin |
|
保护槽 |
<0.3 mm at 45° |
|
表面质量 |
20-10 S-D |
|
波前畸变 |
<λ/4@6328 nm |
|
涂层 |
无，可根据要求提供抗反射或铟锡氧化物涂层 |
|
电极 |
无，可根据要求提供 |
铌酸锂晶体产品型号：
|
SKU |
面尺寸 |
长度 |
掺杂水平 |
价格（RMB） |
|
4052 |
10x10毫米 |
5毫米 |
0，05%Fe2O3 |
请求 |
|
6457 |
10x10毫米 |
5毫米 |
0，02%Fe2O3 |
请求 |
|
6458 |
10x10毫米 |
5毫米 |
0，03%Fe2O3 |
请求 |
|
7005 |
10x10毫米 |
5毫米 |
0，1%Fe2O3 |
请求 |
|
7006 |
10x10毫米 |
1毫米 |
0，02%Fe2O3 |
4000 |
|
7007 |
10x10毫米 |
1毫米 |
0，03%Fe2O3 |
4000 |
|
7008 |
10x10毫米 |
1毫米 |
0，05%Fe2O3 |
4000 |
|
7009 |
10x10毫米 |
1毫米 |
0，1%Fe2O3 |
4000 |
|
7010 |
20x20毫米 |
1毫米 |
0，02%Fe2O3 |
请求 |
|
7011 |
20x20毫米 |
1毫米 |
0，03%Fe2O3 |
请求 |
|
7012 |
20x20毫米 |
1毫米 |
0，05%Fe2O3 |
请求 |
|
7013 |
20x20毫米 |
1毫米 |
0，1%Fe2O3 |
请求 |
SBN晶体的主要特点：
-Ce，Cr，Co，Fe纯掺杂
-有效相位共轭
-定制尺寸，掺杂水平，无极化，减反射涂层和没有电极晶体可根据要求
SBN晶体的主要应用：
-光学信息记录
-热释电探测器
-自泵浦自共轭镜
-光学相关器
SBN晶体的技术特性：
|
构图 |
SBN：61 |
SBN：75 |
|
晶体结构 |
四边形，4毫米 |
四边形，4毫米 |
|
晶格参数 |
a = 12,46 Å, c = 3,946 Å |
a = 12,43024 Å, c = 3,91341 Å |
|
密度 |
5,4 g/cm3 |
5,4 g/cm3 |
|
Mohs硬度 |
5.5 |
5.5 |
|
熔化温度 |
1480°C |
1480°C |
|
居里温度 |
75°C |
56℃ |
|
透光度范围 |
0.45-5.5μm |
0.4-5.5μm |
|
折射率@633 nm |
no = 2.3103,ne = 2.2817 |
no = 2.3117,ne = 2.2987 |
|
Δn@633 nm |
-0.0286 |
-0.0130 |
|
传动 |
0.45-5.5μm |
0.4-5.5μm |
|
半波电压(λ/2) |
240 V |
60V |
|
介电常数(T=293 K) |
900 |
340 |
|
电光系数 |
R13=45 pm/V,R33=250 pm/V |
R13=65 pm/V,R33=740 pm/V,r42=40 pm/V |
|
热释电系数 |
0.065μC×cm-2×K-1 |
0.28μC×cm-2×K-1 |
|
介电常数 |
880 |
3400 |
SBN晶体的产品规格：
|
定向 |
沿四方轴的短边 |
|
波林 |
极化 |
|
电极 |
碳水电极 |
|
透明孔径 |
85% |
|
面尺寸公差 |
+0/-0.2毫米 |
|
厚度公差 |
±0.2毫米 |
|
平行度误差 |
<30 arcsec |
|
保护槽 |
<0.1 mm at 45° |
|
表面质量 |
20-10 S-D通过透明光圈，60-40 S-D其他表面 |
|
表面平整度 |
<λ/4@6328 nm |
|
涂层 |
无涂层 |
SBN晶体的产品型号：
|
SKU |
材料 |
面尺寸 |
长度 |
掺杂 |
价格(RMB) |
|
6940 |
SBN：61 |
5x5毫米 |
5毫米 |
CeO 2 0，002 wt，% |
15000 |
|
6941 |
SBN：61 |
5x5毫米 |
10毫米 |
CeO 2 0，002 wt，% |
18500 |
|
6942 |
SBN：61 |
5x5毫米 |
15毫米 |
CeO 2 0，002 wt，% |
24000 |
|
6943 |
SBN：61 |
5x5毫米 |
20毫米 |
CeO 2 0，002 wt，% |
30000 |
|
6944 |
SBN：61 |
5x5毫米 |
5毫米 |
CeO 2 0，01 wt，% |
15000 |
|
6945 |
SBN：61 |
5x5毫米 |
10毫米 |
CeO 2 0，01 wt，% |
18800 |
|
6946 |
SBN：61 |
5x5毫米 |
15毫米 |
CeO 2 0，01 wt，% |
22000 |
|
6947 |
SBN：61 |
5x5毫米 |
20毫米 |
CeO 2 0，01 wt，% |
30000 |
|
6948 |
SBN：61 |
5x5毫米 |
5毫米 |
CeO 2 0，1 wt，% |
15000 |
|
6949 |
SBN：61 |
5x5毫米 |
10毫米 |
CeO 2 0，1 wt，% |
18500 |
|
6950 |
SBN：61 |
5x5毫米 |
15毫米 |
CeO 2 0，1 wt，% |
24000 |
|
6951 |
SBN：61 |
5x5毫米 |
20毫米 |
CeO 2 0，1 wt，% |
30000 |
|
73 |
SBN：61 |
5x5毫米 |
5毫米 |
未掺杂 |
15000 |
|
74 |
SBN：61 |
5x5毫米 |
10毫米 |
未掺杂 |
18500 |
|
75 |
SBN：61 |
5x5毫米 |
15毫米 |
未掺杂 |
24000 |
|
76 |
SBN：61 |
5x5毫米 |
20毫米 |
未掺杂 |
30000 |
BGO晶体的主要特点：
-高电光系数(r41=3，5 pm/v)
-低暗电导
-大尺寸元件或晶片最多可达3“
-可根据要求定制
BGO晶体的主要应用：
-空间光调制器
-光开关
-光学相关器
BGO晶体的技术特性：
|
化学公式 |
Bi12GeO20 |
|
晶体结构 |
立方体，点编组23 |
|
晶格参数 |
10.15 a |
|
密度 |
9.2克/cm3 |
|
传输范围 |
0.45-7米 |
|
折射率@0.63m |
2,55 |
|
光学活性@500 nm |
41.5度/毫米 |
|
电光系数r41 |
3.5 pm/V |
|
介电常数 |
40 |
|
暗电阻 |
1014 Ohm cm |
BGO晶体的产品规格：
|
透明孔径 |
85% |
|
面尺寸公差 |
+0/-0.2毫米 |
|
厚度公差 |
±0.2毫米 |
|
平行度误差 |
<30 arcsec |
|
保护槽 |
<0.3 mm at 45° |
|
表面质量 |
40-20 S-D |
|
波前畸变 |
<λ/4@6328 nm |
|
涂层 |
无涂层 |
BGO晶体的产品型号：
|
SKU |
面尺寸 |
长度 |
定向 |
价格(RMB) |
|
6868 |
5x5毫米 |
5毫米 |
[110] |
5600 |
|
6871 |
5x5毫米 |
5毫米 |
[100] |
5600 |
|
6872 |
10x10毫米 |
5毫米 |
[110] |
8500 |
|
6873 |
10x10毫米 |
5毫米 |
[100] |
8500 |
|
6874 |
20x20毫米 |
1毫米 |
[110] |
5000 |
|
6875 |
20x20毫米 |
1毫米 |
[100] |
5000 |
|
6876 |
30×30毫米 |
1毫米 |
[110]，边与<001>平面±2deg平行 |
6000 |
|
6877 |
30×30毫米 |
1，5毫米 |
[110] |
6000 |
