关键优势（对比 FeCl₃/ 双氧水 - 硫酸）

1. 精度：侧蚀极小，线宽可达 **≤50 μm**，适合 HDI、IC 载板、光掩模。
2. 基材友好：对环氧树脂、玻璃、硅片无腐蚀，只蚀金属。
3. 环保安全：酸性温和，无 Cl⁻残留、无氯气溢出；废液中可电化学再生，循环降本。
4. 工艺稳定：浓度 / 温度 / 酸度可调，重复性好；对铜 / 铬 / ITO 选择性强。

三、典型配方（参考）

• 铜蚀刻：0.2 mol/L CAN + 0.5 mol/L HNO₃ + 去离子水，室温，速率≈10 μm/min。
• 铬蚀刻：10–20 wt% CAN + 1–5 wt% HNO₃ + 表面活性剂，适用于 OLED / 光掩模。

四、适用场景

• 高端 PCB：HDI、IC 载板、精细线路（线宽 / 间距≤50 μm）。
• 光掩模：铬层图案化，线宽精度 ±0.1 μm。
• 显示器件：ITO 电极、铬 / 铬镍膜蚀刻。
• 半导体：铜互连、钛 / 铬阻挡层湿法蚀刻。