1. 蚀刻速率快、效率高

• 强氧化性，对铬、钛、钼等常用金属薄膜蚀刻速度快
• 常温或中低温即可反应，无需高温加热，能耗更低、工艺更安全

2. 蚀刻精度高、线条规整

• 反应可控性强，侧蚀小、垂直度好，适合精细线路与微米级图形
• 线宽控制稳定，适合光掩膜、TFT、IC 晶圆、柔性线路板等高精度场景

3. 蚀刻均匀性好，表面光洁

• 蚀刻后金属表面平整、无毛刺、无残留
• 不易出现过蚀、局部蚀穿等缺陷，良率更高

4. 工艺简单、易操控

• 水溶性好，配液方便，可直接用于喷淋、浸泡蚀刻
• 反应终点易判断，便于自动化产线使用

5. 兼容性强，不损伤基底

• 对光刻胶、玻璃、石英、硅基底等腐蚀性极低
• 适合对基底敏感的高端微电子器件加工

6. 废液易处理，环保性较好

• 成分单一，废液中铈离子可回收利用
• 相比传统含氰、含氟蚀刻体系，更安全、更易达标处理