N沟道 30V 场效应管CSD17302Q5A，明佳达电子直销中，只做原装，支持实单议价。

一般信息

数据列表 CSD17302Q5A;

标准包装   1

包装   剪切带（CT）  

零件状态 在售

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 NexFET™

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Ta），87A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，8V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 7.9 毫欧 @ 14A，8V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.7V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 7nC @ 4.5V

Vgs（最大值） +10V，-8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 950pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 3W（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-VSONP（5x6）

封装/外壳 8-PowerTDFN