产品简介
IRF9530NPBF场效应管INFINEON\/英飞凌封装TO-220批号22
IRF9530NPBF场效应管INFINEON\/英飞凌封装TO-220批号22
产品价格:¥9.9000
上架日期:2026-01-02 19:44:00
产地:广东深圳
发货地:广东深圳
供应数量:不限
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详细说明
    产品参数
    品牌英飞凌
    封装TO-220
    批号22
    数量1000
    制造商Infineon
    产品种类MOSFET
    RoHS
    安装风格Through Hole
    封装 \/ 箱体TO-220-3
    晶体管极性P-Channel
    通道数量1 Channel
    Vds-漏源极击穿电压100 V
    Id-连续漏极电流14 A
    Rds On-漏源导通电阻200 mOhms
    Vgs - 栅极-源极电压- 20 V, 20 V
    Vgs th-栅源极阈值电压4 V
    Qg-栅极电荷38.7 nC
    最小工作温度- 55 C
    最大工作温度 175 C
    Pd-功率耗散79 W
    通道模式Enhancement
    配置Single
    下降时间46 ns
    正向跨导 - 最小值3.2 S
    高度15.65 mm
    长度10 mm
    上升时间58 ns
    晶体管类型45 ns
    典型关闭延迟时间15 ns
    典型接通延迟时间4.4 mm
    宽度IRF9530NPBF SP001570634
    可售卖地全国
    型号IRF9530NPBF


    技术参数

    品牌:INFINEON/英飞凌
    型号:IRF9530NPBF
    封装:TO-220
    批号:22
    数量:1000
    制造商:Infineon
    产品种类:MOSFET
    RoHS:
    安装风格:Through Hole
    封装 / 箱体:TO-220-3
    晶体管极性:P-Channel
    通道数量:1 Channel
    Vds-漏源极击穿电压:100 V
    Id-连续漏极电流:14 A
    Rds On-漏源导通电阻:200 mOhms
    Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, 20 V
    Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
    Qg-栅极电荷:38.7 nC
    最小工作温度:- 55 C
    最大工作温度: 175 C
    Pd-功率耗散:79 W
    通道模式:Enhancement
    配置:Single
    下降时间:46 ns
    正向跨导 - 最小值:3.2 S
    高度:15.65 mm
    长度:10 mm
    上升时间:58 ns
    晶体管类型:45 ns
    典型关闭延迟时间:15 ns
    典型接通延迟时间:4.4 mm
    宽度:IRF9530NPBF SP001570634
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