| 详细参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | INFINEON | 型号 | TC5.551.0147 |
| 用途 | 半桥组件 | 封装外形 | 螺丝型 |
| 材料 | GaAS-FET砷化镓 | 相数 | 三相 |
| 控制方式 | 脉冲宽度调制(PWM) | 主电路形式 | 全桥式 |
| 频率 | 中频 | 加工定制 | 是 |
| 导电沟道 | N沟道 | 导电方式 | 增强型 |
| 极间电容 | 20 | 开启电压 | 15 |
| 夹断电压 | -15 | 最大漏极电流 | 0.3 |
| 低频噪声系数 | 0.2 | 最大散热功率 | 0.02 |
| 产品认证 | UL | 产地 | 中国 |
风电IGBT模块TC5.551.0147
产品基本信息

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北京京诚宏泰科技有限公司销售供应风电IGBT模块TC5.551.0147
变频器附件\IGBT\TC5.551.0147
IGBT是什么?
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变频器附件\功率模块\6MS24017E33-W32274
变频器附件\控制板\TC5.949.0019DJV3
PCH1216震动传感器
库博K005编码器
莱纳林德IHA698编码器
日立龙源变频器电路板
主控板AIO14
IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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IGBT与MOSFET的对比
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。
优点:热稳定性好、安全工作区大。
缺点:击穿电压低,工作电流小。
IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。
特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。
IGBT的典型应用
电动机
不间断电源
太阳能面板安装
电焊机
电源转换器与反相器
电感充电器
电磁炉
模拟接口板XDT26
编码器接口板XTB02B
网侧配置板AP6
网侧电压测量板AP8
机侧CPU板机侧控制板AP3
网侧CPU板网侧控制板AP1
网侧电压测量板交流电压测量板2 AP10
通讯总线收发板XTX120
兰博瑞风速仪风向标
14522.100043
14521.100043
华电天仁驭风者驱动器
巴赫曼PTAI216 DIO232
偏航软启DS7-340SX055N0-L