产品简介
全新原装 AO6800 30V/3.4A/双N沟道/SOT-23-6封装MOS管 场效应管
产品价格：￥1.85元/个
上架日期：2021-11-15
发货地：广东 深圳市
供应数量：不限
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详细说明
    详细参数
    品牌AOS型号AO6800
    半导体材料硅封装方式塑料封装
    额定整流电流80正向电压降40
    最大反向工作电压60击穿电压50
    最大反向漏电流15外形尺寸12
    功耗78产地进口原装
    发光颜色其他
    AO6800
    规格信息：
    标准包装：3,000
    类别：分立半导体产品
    家庭：FET - 阵列
    系列：-
    包装：带卷（TR）
    FET 类型：2 个 N 沟道（双）
    FET 功能：逻辑电平门
    漏源极电压（Vdss）：30V
    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3.4A
    不同?Id，Vgs 时的?Rds On（值）：60 毫欧 @ 3.4A，10V
    不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：1.5V @ 250µA
    不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：10nC @ 10V
    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：235pF @ 15V
    功率 - 值：1.15W
    安装类型：表面贴装
    封装/外壳：SC-74，SOT-457
    供应商器件封装：6-TSOP
    其它名称：785-1081-2

    AO6800采用先进的沟槽技术，提供卓越的RDS（ON）、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压。该装置适用于负载开关或PWM应用


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