| 详细参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | INFINEON | 型号 | IRF540NPBF |
| 类型 | MOS场效应管 | 沟道类型 | N型沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 适合频率 | 中频 |
| 封装外形 | CER-DIP | 材质 | N-FET硅N沟道 |
| 加工定制 | 否 | ||
| 产地： |
中国 |
|---|---|
| 产品认证： |
ROHS |
| 额定电压： |
100V |
| 封装材料： |
DIP |
| 封装形式： |
TO-220-3 |
| 类型： |
栅极驱动器 |
| 品牌： |
Infineon/英飞凌 系列场效应管 |
| 型号： |
IRF540NPBF |
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产品分类
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场效应管（MOS管） 三极管及MOS管 |
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FET配置（电路类型）
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N沟道 |
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漏源击穿电压V(BR)dss
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100V |
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漏极电流（Id, 连续）
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33A（Tc） |
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导通电阻 Rds（on）
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44毫欧 |
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阈值电压Vgs(th)
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4V@250μA |
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耗散功率
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130W |
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封装/外壳
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TO-220-3 |
