| 详细参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | HarmonicDrive | 型号 | CSF-50-160-2UH |
| 类型 | 谐波减速器 | 载荷状态 | 强冲击载荷 |
| 传动比级数 | 三级 | 轴的相对位置 | 立式加速器 |
| 传动布置形式 | 三环式 | 加工定制 | 是 |
| 样品或现货 | 现货 | 齿面硬度 | 硬齿面 |
| 布局形式 | 三环式 | 用途 | 减速机 |
| 输入转速 | 1450rpm | 额定功率 | 111kw |
| 输出转速范围 | 50rpm | 许用扭矩 | 691N.m |
| 使用范围 | 化工 | 减速比 | 3322 |
| 产地 | 日本 | ||
(1) 注入机中的磁性离子分析器能将需要的杂质离子从混合的离子束中分离出来。
(2) 加速管。为了获得更高的能量(也就是运动速度)日本HD装卸设备谐波CSF-50-160-2UH,正离子还需要在加速管中的电场下进行加速。
(3) 扫描系统。注入机离子束斑约1~3cm2,日本HD装卸设备谐波CSF-50-160-2UH需要通过扫描覆盖整个硅片。可以通过固定硅片,移动束斑,或者相反操作进行扫描。扫描系统有静电扫描、机械扫描、混合扫描和平行扫描。
(4) 工艺腔。离子束注入在工艺腔中进行。一般工艺腔包括扫描系统、硅片装卸终端台、硅片传输系统、检测系统,以及控制沟道效应的装置。
离子注入参数主要有剂量和射程。日本HD装卸设备谐波CSF-50-160-2UH剂量是单位面积硅片注入的离子数,单位是原子每平方厘米(或离子每平方厘米)。射程是离子注入过程中,离子穿入硅片的总距离。注入机的能量越高,则杂质原子穿入硅片深度越大。