热扩散的第二步是推进，其作用是使淀积的杂质穿过硅晶体，哈默纳科半导体硅谐波CSF-50-160-2UH在硅片中达到一定的深度。推进温度在1000~1250℃。热扩散的第三步是激活，当温度进一步升高时，杂质原子与硅原子键合，从而改变硅的导电率。杂质只有在成为硅晶格的结构的一部分，才有助于形成半导体硅。

扩散在高温扩散炉中进行，在高温炉中完成扩散的三个步骤。哈默纳科半导体硅谐波CSF-50-160-2UH高温炉设备结构见2.5.1节热处理工艺单元设备。

通过物理注入方式向硅衬底引入一定数量的杂质，将改变硅片的电学性能。离子注入的主要用途是掺杂半导体材料。目前离子注入方法优于扩散工艺，成为半导体掺杂工艺的主要方法。

1.离子注入机

离子注入工艺在离子注入机内进行。哈默纳科半导体硅谐波CSF-50-160-2UH，一般离子注入机设备包括5个部分。 

（1） 离子源。注入离子在离子源中产生，正离子由杂质气态源或固态源的蒸汽产生。

引出电极（吸级）和离子分析器。离子通过离子源上的一个窄缝被吸出组件吸引。