常用的干法等离子体反应器类型包括圆筒式等离子体反应器、平板式反应器、日本HD离子设备谐波CSF-50-160-2UH顺流刻蚀系统、三级平面反应器、离子铣、反应离子刻蚀器、高密度等离子体刻蚀机等。

图2.19所示为由平板反应器构成的平板等离子刻蚀机系统日本HD离子设备谐波CSF-50-160-2UH。反应器有两个大小和位置对称的平行金属板，硅片背面朝下放置于接地的阴极上面，RF信号加在反应器的上电极。由于等离子体电势高于地电势，因此这是一种带能离子进行轰击的等离子体刻蚀模式。一个刻蚀系统的能力及控制方法对成功加工硅片非常关键。

早期湿法腐蚀主要用于硅片刻蚀，现在湿法腐蚀的功能大部分被干法刻蚀代替。目前湿法腐蚀主要用于漂去氧化物、去除残留物、表层剥离，以及较大特征尺寸的图形腐蚀。湿法腐蚀设备较为简单，日本HD离子设备谐波CSF-50-160-2UH通常使用一个液体槽，采用浸泡或喷射的方法批量处理硅片。

湿法腐蚀设备的主要控制参数包括溶液浓度、浸泡时间、腐蚀槽的温度、溶液槽的搅动、处理硅片的批次等。