| 详细参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | HarmonicDrive | 型号 | CSF-50-160-2U |
| 类型 | 谐波减速器 | 载荷状态 | 强冲击载荷 |
| 传动比级数 | 无级 | 轴的相对位置 | 卧式减速器 |
| 传动布置形式 | 摆线式 | 加工定制 | 是 |
| 样品或现货 | 现货 | 齿面硬度 | 软齿面 |
| 布局形式 | 三环式 | 用途 | 变速机 |
| 输入转速 | 3000rpm | 额定功率 | 360kw |
| 输出转速范围 | 50rpm | 许用扭矩 | 691N.m |
| 使用范围 | 化工 | 减速比 | 877 |
| 产地 | 日本 | ||
刻蚀的主要工艺参数有：刻蚀速率、刻蚀剖面、刻蚀偏差、选择比、哈默纳科真空设备谐波齿轮CSF-50-160-2UH均匀性、残留物、聚合物、等离子体诱导损伤、颗粒玷污和缺陷。
1.干法刻蚀
在半导体制造中，干法刻蚀是用来去除表面材料的最主要的刻蚀方哈默纳科真空设备谐波齿轮CSF-50-160-2UH法。干法刻蚀是把硅片表面暴露于气态中产生的等离子体，等离子体通过光刻胶中开出的窗口与硅片发生物理或化学反应，从而去掉暴露的材料。
一个等离子体干法刻蚀系统由发生刻蚀反应的反应腔、一个产生等离子体的射频电源、气体流量控制系统、去除刻蚀生成物和气体的真空系统等组成。刻蚀反应系统包括传感器、气体流量控制单元和终点触发探测器。哈默纳科真空设备谐波齿轮CSF-50-160-2UH一般的干法刻蚀中的控制参数包括真空度、气体混合组分、气流流速、温度、射频功率和硅片相对于等离子体的位置
