| 详细参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | HarmonicDrive | 型号 | CSF-17-80-2UH-LW |
| 类型 | 谐波减速器 | 载荷状态 | 中等冲击载荷 |
| 传动比级数 | 单级 | 轴的相对位置 | 卧式减速器 |
| 传动布置形式 | 摆线式 | 加工定制 | 是 |
| 样品或现货 | 现货 | 齿面硬度 | 软齿面 |
| 布局形式 | 三环式 | 用途 | 变速机 |
| 输入转速 | 1450rpm | 额定功率 | 360kw |
| 输出转速范围 | 50rpm | 许用扭矩 | 1782N.m |
| 使用范围 | 化工 | 减速比 | 74 |
| 产地 | 日本 | ||
CVD工艺采用的设备为CVD反应炉,根据反应压力可分为常压或低压CVD炉。日本HDCV精密谐波CSF-17-80-2UH-LWCVD反应炉常用的有卧室反应炉和立式反应炉。图2.8所示为CVD卧式反应炉工作原日本HDCV精密谐波CSF-17-80-2UH-LW理示意图。为避免高温,可以采用其他的能量供应形式,例如,通过高能射频源获得的等离子体就是一种可选形式,称为等离子增强CVD (PECVD, Plasma Enhanced CVD)。
(2)外延工艺与设备
外延(Epitaxy)是在单晶衬底上、合适的条件下沿衬底原来的结晶轴向,日本HDCV精密谐波CSF-17-80-2UH-LW生长一层晶格结构完整的新的单晶层的制膜技术。新生单晶层按衬底晶相延伸生长,并称为外延层。长了外延层的衬底称为外延片。