氧化(Oxidation)工艺的主要目的是在硅衬底表面形成SiO₂氧化膜。SiO₂在微电子和微系统中的主要应用包括：哈默纳科原子集成谐波 CSF-17-80-2UH-LW钝化晶体表面，形成化学和电的稳定表面，即器件表面保护或钝化膜；作为后续工艺步骤（扩散或离子注入）的掩模（掺杂掩模、刻蚀掩模）；形成介质膜用于器件间的隔离哈默纳科原子集成谐波 CSF-17-80-2UH-LW或作器件结构中的绝缘层（非导电膜）；在衬底或其他材料间形成界面层（或牺牲层）。

化学气相淀积是利用气态的先驱反应物，以某种方式激活后，通过原子或分子间化学反应的途径在衬底上淀积生成固态薄膜的技术。CVD膜的结构可以是单晶、多晶或非晶态。利用CVD可获得高纯的晶态或非晶态的金属哈默纳科原子集成谐波 CSF-17-80-2UH-LW、半导体、化合物薄膜，能有效控制薄膜化学成分，且设备运转成本低，与其他相关工艺有较好的相容性。