手机电池MOS：

DMN12M7UCA10，2.3(2.85max)，CSP-10（X4-DSN3015-10), 高端机型，快充功能。

DMN1002UCA6，2.36(2.85max)，CSP-6（X4-DSN3118-6), 高端机型，快充功能。

DMN1003UCA6, 2.5(3.2max)mΩ，CSP-6（X4-DSN3518-6), 高端机型，快充功能。

DMN1006UCA6, 6.5mΩ，CSP-6（X4-DSN2718-6), 中高端手机。

DMN2036UCB4, 50mΩ，PQ5G4JN（尼克森），18mΩ针对低端手机，穿戴产品。

DMN2008LFU, 6.4mΩ，我司主推型号。

DMN2014LHAB,17mΩ，低端手机保护板。

DMN2016LHAB, 19mΩ，低端手机保护板。

DMN2028UFDH, DMN2013UFX, DMG5802LFX, DMN2016UTS, DMN2019UTS, 

AP9214L(二次电池)

快充定义：以1.5C的电流充电，定义为快充；如电池是3000mAh，1.5C的充电电流即4.5A充电

笔记本电池保护MOS

DMN3008SFG：DFN3*3，6mΩ

DMT32M5LFG：DFN3*3，8.5mΩ（带ESD保护）

DMN3016LSS：SOP-8，11mΩ

DMG4413LSS：SOP-8，7.5mΩ

DMP3020LSS：SOP-8，13mΩ

笔记本电池主推DMN3008SFG，如客户需要更低内阻，需要带ESD保护功能，就推荐DMT32M5LFG，笔电后续的趋势是低内阻，带ESD保护，可跟客户介绍这个物料。

笔记本电池老方案，以二次电池为主，大部分都是使用SOP-8封装

MOS

DMT32M5LFG：DFN3X3， 30Vds 2.0mΩmax@10Vgs

DMT32M5LPS：DFN5X6， 30Vds 2.0mΩmax@10Vgs

DMP2002UPS，DMP22M2UPS：DFN5X6， -20Vds 2.4mΩmax@-4.5Vgs

DMP2006UFG ：DFN3*3 -20Vds 5.5mΩmax@-4.5Vgs

AP7380-33Y-13：SOT-89 ，3.3V，1%

DMP26M7UFG：PDI3333-8,-20V,6.7mΩ@Vgs

电动工具MOS:

DMT6004LPS：TO-220AB，3.65（60V）

DMT4004LPS：DFN5*6，2.5mΩ

DMTH6004SCTB：TO-263，3.4mΩ

DMNH6008SCT：TO-220AB，8 mΩ

DMTH6004SPS：DFN5*6，3.1mΩ

DMTH6005LCT：TO-220AB，6mΩ

DMTH6004SK3：TO-252，3.8mΩ

DMTH3004LPS：DFN5*6, 3.8mΩ

电动工具MOS规格: 

电压：40V，60V

内阻：4mΩ以内

封装：DFN5*6，TO-252，TO-263

40V主推型号：DMT4004LPS，DMTH4004LK3，DMTH4004SCTB

60V主推型号：DMT6004LPS，DMTH6004SPS，DMTH6004SPS，DMTH6004SK3，DMTH6004SCTB

BMS-MOS规格:

电压：60V，75V，100V

内阻：7mΩ以内

封装：TO-252，TO-263，TO-220

60V主推型号：DMTH6004SK3，DMTH6004SCTB，DMTH6004SCT

100V主推型号：DMT10H010LK3，DMT10H010LCT