产品简介
微型PECVD系统BTF-1200C-S-PECVD
产品价格:¥1.00元/台
上架日期:2019-12-25
发货地:安徽 合肥市
供应数量:不限
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详细说明
    详细参数
    品牌贝意克型号其他

    主要特点

     
        1. 薄膜沉积速率高:采用了甚高频技术,大大的提高了薄膜的沉积速率,沉积速率可达10Å/S;
        2. 大面积均匀性高:采用了先进的多点射频馈入技术,特殊气路分布和加热技术等,使得薄膜均匀性指标达到8%;
        3. 一致性高:用半导体行业的先进设计理念,使得一次沉积的各基片之间偏差低于2%;
        4. 工艺稳定性高:高度稳定的设备保证了工艺的连续和稳定;
        5. 选配物料喷射系统,可将原料直接喷射到反应区。
        6.专利号:ZL201320052532.0  (专利产品,防伪必究)。
     
    技术参数

     

     

     
     

    真空管式炉

    炉管尺寸:

    外径Φ50×700mm

    极限温度:

    1200℃

    温度控制器:

    PID自动控制晶闸管(可控硅)输出功率,30段可编程控制器

    最快升降温速率:

    60

    加热区:

    230mm

    恒温区:

    100mm

    温度精度:

    ±1℃

    电源:

    单相220V,交流50Hz

     

     

     

    多通道流量计控制系统

    标准量程:

    100,200SCCM;(以氮气标定,除以上标准外量程可选)

    准确度:

    ±1.5%

    工作压差范围:

    0.1~0.5 MPa

    最大压力:

    3MPa

    接头类型:

    Φ6双卡套不锈钢接头

     

     

    高真空系统

                       

     

    泵体积流量N2

    33 L/S

    压缩比:

    ≥1011mbar   

    实验真空值:

    ≤10-6mbar

    功率消耗:

    140W

    启动时间:

    2min

    电源要求:

    185-265V AC

    射频电源

    信号频率:

    13.56MHz±0.005%W

    功率输出范围:

    0-100W

    最大反射功率:

    10W

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