RM9001AE/AF是一款采用自适应LED三段
分段驱动机制的高精度高压线性LED恒流控
制芯片，可以灵活设置每段LED串，适应不同
地区的市电电压，LED 的利用率和总输出流
明数高。
RM9001AE/AF可以通过外部电阻调整LED
电流，RM9001AE/AF通过控制分段导通LED电
流，可以提高整体方案PF并减小THD,THD总谐
波<20%。
RM9001AE/AF具备可调节的过温调控功
能，可根据不同的应用设置不同的过温调节
点。当应用方案输入电压超过应用电压，芯
片内部的过温调控功能会降低输出电流，维
持整体功率稳定。
RM9001AE/AF芯片具备功率补偿功能，在
输出电压升高的情况下，芯片会通过外置补
偿电阻调整LED补偿电流保证输入功率基本
不变。
RM9001AE是三段恒流芯片可以PIN对PIN
替换原有四段芯片方案(如RM9001A)。
RM9001AF是三段恒流芯片，大功率方案
并联可以免0R跳线电阻。
典型特点：
?  集成700V/600V高压MOS,
?  外围电路简单，无需电解电容和磁
性元件
?  大功率应用可多芯片可并联应
用,RM9001AF无需0R跳线电阻
?  具备恒功率功能
?  RM9001AE预留DIM调光端口
?  3段LED灯串可以灵活配置
?  输出电流范围在5mA-100mA，且输出
电流恒定在设定值。
?  LED电流可外部设定，电流精度高。
?  采用 ESOP8封装
应用领域：
?  投光灯，泛光灯等大功率LED照明
?  LED球泡灯、射灯等
?  其它LED照明


应用信息：
RM9001AE/AF是一款高精度高压线性LED三段恒流驱动芯片，具有恒功率功能，在电压升
高的情况下可以保证输入功率稳定，在一定输入电压范围内做功率补偿具体请见电气参数。
1.驱动机制：
RM9001AE/AF在系统上电后，D1通过内部的JFET给芯片供电，当芯片D1上的电压超过6V
后芯片开始工作，在输入电压周期内,电压由低逐渐升高时LED串逐段开始导通，且所有导通
的LED串的电流相等。LED串被点亮的个数随输入电压增大而增加，可以提高 LED 的利用率
和总输出流明数。
2.灯珠数量选取及对芯片最大设计功率的影响：
RM9001AE/AF承担电路中的剩余电压，所以在设计时使LED串的电压趋近于AC整流后的电
压，这样使整个电路的运行效率达到最佳。建议芯片功耗小于1.5W。

RM9001AE/AF 在大功率应用的时候根据不同应用的浪涌要求，可以通过增加多级浪涌防
护，以保证芯片在恶劣应用环境下也可以正常工作，具体应用请见上图（浪涌防护示意图）
交流输入端 FR1（保险电阻），可以根据实际客户要求，决定是否增加，满足安规需求。
交流输入端串联的抗浪涌保护线绕电阻，如图 FR1,FR2,可以改善抗雷击浪涌，阻值越
大，效果越明显，但是电阻越大，功耗也越大。此功耗不能大于整灯功率的 3%,根据输入电
流，以计算，选取合适阻值和功率的抗浪涌保护线绕电阻，并留适当的余量，单级 FR1,FR2
加压敏可以保证 L->N ±2KV。
浪涌电压要求 L->N 大于±2KV，可以采用两级或者多级压敏，如:前级(桥前)使用
10D471 两组或者多组，保证后级残压小于芯片耐压，如图 L->N 浪涌保护电路。
大功率投光灯方案，L N->PE 通常为±2KV 要求，线对壳体的耐压测试主要考验的是铝
基板的耐压，通常铝基板耐压要求不低于 2.5KV。或者考虑在壳体和铝基板之间增加导热硅
胶垫，增加桥后浪涌防护，如图中虚线方框中的电路部分（L,N->PE 浪涌保护电路）同时增
加一颗高压贴片电容（223/1000V），效果更好一些。
在 PCB 设计的时候，在保证电流的情况下尽可能减小负极线宽和覆铜面积，目的是为了
减小板间的电容。线对 PE 浪涌测试的时候，负极对基板间的电容充电会损坏 RM9001AE/AF
芯片，所以要尽可能减小负极对基板间的电容。
7.过温调节功能：
为了提高芯片工作可靠性，RM9001AE/AF 采用可调节过温管控设计，当驱动电源过热时，
逐渐减小输出电流，从而控制输出电流及温升，使电源温度保持在设定值，以调高系统可靠

性。芯片内部设定过温调节温度点为 125℃,芯片内部过温点可调。

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