DFN1006-2L封装双向ESD保护芯片DC1221P1L 12V 180W 8A 30PF  

12V ESD TVS二极管）

DC1221P1L特性：

小体积：1.0x0.6x0.5mm

反向截止电压(Vrwm):12V

击穿电压:13.3V

在额定电压下，漏电流小于0.2uA

低钳位电压VC小于22.5V（8A 8/20uS)

通过IEC61000-4-2（ ESD）：±30 kV--空气  ±30kV--接触

通过IEC61000-4-5（Lightning）： 8A(8/20uS)

无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准

外壳：DFN1006-2L封装端子：可焊性均符合MIL-STD-750标准（方法2026）

盘装Packaging:10000/Tape & Reel

静电防护二极管DFN1006封装 

瞬态电压抑制器二极管可防止过电压损坏敏感电子元件。 由于其紧凑型封装，  瞬态电压抑制器二极管特别适用于如下应用：手机、LCD、USB 2.0/OTG、MMC 接口、SD 卡接口、MDDI 端口、SIM 端口、键盘和千兆位以太网。

封装：DFN1006/SLP1006P2/0402 10K/盘
    
    特点：
    工作电压:5.0 V
    单路,单向，双向保护可选；
    低电容(<0.5 pF)高速接口；
   低漏电流；nA级
    
    主要应用：
    高速线:USB1.0/2.0,VGA,DVI,SDI,
    串行和并行端口
    笔记本、台式机、服务器
    投影电视
    手机及配件
    便携式仪器

DC3311P0

DC3321P0

DC0521P0

DL0521P0

DC3301P1

DC3321P1

DL3321P0S

DC4581P1L

DC4581P1

DC0501P1

DC0511P1

DC0521PZ

DC0521P1L

DL0521P1

DL0501P1

DC1201P1

DC1211P1

DC1221P1

DC1231P1

DC3601P1

DC0521D5