| 详细参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | DX | 型号 | SESLC12VD323-2B |
| 半导体材料 | 硅 | 封装方式 | 塑料封装 |
| 内部结构 | 双稳压 | 电流容量 | 小功率(<1.5A) |
| 稳定电压 | 3.3-36 | 功耗 | 0 |
| 反向测试电流 | 1 | 最大工作电流 | 1 |
| 动态电阻 | 0 | 电压稳定系数 | 3.3-36 |
| 最大耗散功率 | 1 | ||
低电容ESD保护 [Low Capacitance ESD Protector]
350W峰值脉冲功率P= 8/20μs)
SOD- 323封装替代MLV（0805）
单向或双向结构保护一个电源或I / O端口
低钳位电压
符合RoHS
数据线IEC 61000-4-2瞬态保护（ ESD ）±15KV(air),±8KV(contact);
IEC 61000-4-4（ EFT ）： 40A（5 / 50ns的）
IEC 61000-4-5（浪涌）：24A，8 / 20μs的2级（线对地）& 3级（线 - 线）
SESLC3V3D323-2U
SESLC3V3D323-2B
击穿电压：4.0V VC19.0@20.0A 8/20μs
SESLC5VD323-2U
SESLC5VD323-2B
击穿电压：6.0V VC18.3@17.0A 8/20μs
SESLC8VD323-2U
SESLC8VD323-2B
击穿电压：8.5V VC18.3@17.0A 8/20μs
SESLC12VD323-2U
SESLC12VD323-2B
击穿电压：13.3V VC28.6@11.0A 8/20μs
SESLC16VD323-2U
SESLC16VD323-2B
SESLC18VD323-2U
SESLC18VD323-2B
击穿电压：20.0V VC45@8.0A 8/20μs
SESLC24VD323-2U
SESLC24VD323-2B
击穿电压：26.7V VC56@6.0A 8/20μs
-2U为单向器件
-2B为双向器件
