| 详细参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 其他 | 型号 | 4英寸 |
| 类型 | 化合物半导体材料 | 材质 | 碳化硅 |
| 用途 | RF | 颜色 | 其他 |
4英寸碳化硅基氮化镓外延片生产厂家 GaN On SiC
苏州恒迈瑞材料科技生产供应碳化硅基氮化镓外延片RF HMET结构应用于微波电子器件，产品尺寸为4英寸和6英寸，碳化硅衬底为4H-SiC晶型，衬底厚度500um。氮化镓缓冲层厚度1.8um，氮化铝间隔层1nm。结构为SiC Substrate/AlN Buffer/Fe doped GaN buffer/GaN channel/1nm AlN interlayer/AlGaN/(In)AlN barrier/GaN cap/ w/o SiNx cap.
第三代半导体材料GaN由于具有众多优异的物理特性，非常适合制备高温、高频、大功率电子器件，具有很好的应用前景。
