4寸硅基氮化镓外延片厂家 HEMT RF应用

苏州恒迈瑞材料科技有限公司生产的硅基氮化镓外延片可用于650V电子电力HEMT及RF射频高电子迁移率晶体管.目前我司硅基氮化镓外延片结构可分为D-MODE耗尽型HMET结构 ，E-MODE增强型HEMT结构，以及RF HEMT结构，部分结构参数可根据客户设计需求定制。

Si Substrate/AlN/(Al,Ga)N buffer/GaNchannel/AlGaNbarrier/0-5 nm GaN/SiNxcap.硅衬底厚度675um 1000um 1500um

GaN氮化镓材料大的禁带宽度，使得其制备的功率器件可以在没有复杂设计的散热装置的辅助下正常工作，这样可以大幅降低电力电子设备的体积和成本。又因为击穿电场强度与能带的平方成正相关，GaN氮化镓材料的击穿电压理论上可达到大于3 MV/cm的水平，远大于Si和GaAs。此外，GaN材料同时还拥有非常卓越的电子传输特性，其中包括更高的迁移率，更大的饱和漂移速度。这些使其非常适合用于制作功率电子器件。