描述

    256Mb的sdram是一个高速CMOS，动态随机存取存储器，包含268,435,456位。它在内部配置为一个具有同步接口的四分组DRAM(所有信号都注册在时钟信号的正边缘，CLK)。x4的67,108,864位银行中的每一个都被组织为2048行和4位的8192行。每个x8的67,108,864位的银行被组织成8192行，1024列，8位。x16的67,108,864位银行中的每个银行都被组织为8192行，512列，16位。

    对sdram的读写访问是面向突发的；访问从选定的位置开始，并在编程序列中继续进行编程数量的位置。访问从注册活动命令开始，然后是读或写命令。与活动命令同时注册的地址位用于选择要访问的行和行（BA[1：0]选择行；A[12：0]选择该行）。与READ或写命令一致的地址位用于选择突发访问的起始列位置。

   sdram提供了可编程的读或写突发长度(BL)为1个、2个、4个或8个位置，或整个页，带有一个突发终止选项。可以启用自动预充电功能，以提供在突发序列结束时启动的自定时行预充电。

   这个256mb的sdram使用了一个内部的流水线架构来实现高速操作。该体系结构与预取体系结构的2n规则兼容，但它也允许在每个时钟周期中更改列地址，以实现高速、完全随机的访问。在访问其他三家银行中的一家银行时进行预收费，将隐藏预收费周期，并提供无缝、高速、随机接入操作。

   256Mb的sdram被设计为在3.3V内存系统中运行。它提供了一种自动刷新模式，以及一种节电、断电模式。所有的输入和输出都是与LVTTL兼容的。

   SDRAM提供DRAM操作性能的实质性进步，包括同步突发数据的能力高数据率自动列地址生成，能够交错内部银行隐藏预充电时间，能够随机改变列地址在每个时钟周期在突发访问。

汽车温度

汽车温度（AT）选项符合以下规格：
•16毫秒刷新率
•不支持自刷新
•环境温度和外壳温度不得低于-40°C或高于+105°C

特征
•PC100和PC133兼容
•完全同步；所有信号均呈阳性
系统时钟边缘
•内部流水线操作；列地址可以
每个时钟周期都会改变
•用于隐藏行访问/预充电的内部银行
•可编程突发长度：1、2、4、8或整页
•自动预充电，包括同时自动预充电
和自动刷新模式
•自刷新模式（AT设备上不可用）
•自动刷新
–64ms，8192次循环刷新（商用和商用）
（工业）
–16ms，8192循环刷新（自动）
•LVTTL兼容的输入和输出
•单个3.3V±0.3V电源
选项标记
•配置
–64兆欧x4（16兆欧x4×4组）64M4
32x8兆欧
-16兆欧x16（4兆欧x16×4组）16M16
•写恢复（tWR）
–tWR=2 CLK A2
•塑料包装——OCPL1
–54针TSOP II OCPL1
（4亿）
（标准）
甘油三酯
–54针TSOP II OCPL1
（4亿）
无铅
P
选项标记
–60球FBGA（x4，x8）（8mm x 16mm）FB
-60球FBGA（x4，x8）（8mm x 16mm）
无铅
BB
–54球VFBGA（x16）（8毫米x14毫米）FG2
–54球VFBGA（x16）（8毫米x14毫米）
无铅
BG2
–54球VFBGA（x16）（8mm x 8mm）F43
–54球VFBGA（x16）（8mm x 8mm）
无铅
B43
•定时–循环时间
-6ns@CL=3（仅限x8、x16）-6A
-7.5ns@CL=3（PC133）-752
-7.5ns@CL=2（PC133）-7E
•自我刷新
–标准无
–低功耗L2
,
4.
•工作温度范围
–商用（0˚C至+70˚C）无
–工业（–40˚C至+85˚C）IT
–汽车温度在4摄氏度时（–40摄氏度至+105摄氏度）
•修订版：D/：G