产品简介
Behlke 高压开关 HTS 61-40系列 德国原装进口
产品价格:¥2566.00元/个
上架日期:2026-03-20
发货地:北京 顺义区
供应数量:不限
最少起订:1个
浏览量:1708
详细说明
    详细参数
    品牌Behlke型号HTS121-360
    结构形式嵌入式产品认证CE
    提供加工定制额定电压1155
    额定频率55母线额定电流45
    物料编号15产地德国
    重量2外形尺寸1400mm*2800mm*2600mm

    常用型号

    Behlke HTS 61-120

    Behlke HTS 121-15
    Behlke HTS 121-30
    Behlke HTS 121-60
    Behlke HTS 121-120
    Behlke HTS 121-180
    Behlke HTS 121-360
    Behlke HTS 11-07-AC-C
    Behlke HTS 31-02-AC-LC-C
    Behlke HTS 31-03-AC-C
    Behlke HTS 31-06-AC-BC
    BehlkeHTS 41-02-AC-C
    behlke HTS 30-06-UF
    behlke HTS 30-08-UF
    behlke HTS 50-08-UF
    behlke HTS 50-12-UF
    behlke HTS 80-12-UF
    behlke HTS 80-20-UF
    behlke HTS 100-20-UF

    behlke HTS 120-15-UF


    产品介绍

    Behlke HTS 500-1200-SCR
    用于 di/dt >24kA/µs 的快速晶闸管高压开关。带有可选的水冷(选项 ILC)。50 kVDC,12 kA pk,tr < 100...500 ns

    Behlke HTS 1500-1000-SCR
    用于 di/dt >20kA/µs 的快速晶闸管高压开关。具有用于非导电冷却剂的可选液体冷却(选项 DLC)。150 kVDC,10 kA pk,tr < 150...500 ns。

    Behlke HTS 1200-2400-SCR
    用于 di/dt >40kA/µs 的快速晶闸管高压开关。带有可选的液体冷却。非对称隔离(正极 200 kV / 负极 30 kV)。120 kVDC,24 kA pk,tr < 200...600 ns。

    Behlke HTS 40-06
    标准塑料外壳中的非常快速的 MOSFET 开关。固定导通时间,ton=100ns(50 ns - 100 µs 可选)4 kV,60 A pk,上升时间 < 3 ns。

    Behlke HTS 60-16
    低杂散电感快速放电开关。固定导通时间,ton = 150ns。6 kV,160 A,tr <4ns @Ip(max)。PCB 的插针插座包含在交货中。

    Behlke HTS 80-16
    低杂散电感快速放电开关。固定导通时间,ton = 150ns。8 kV,160 A,tr <5ns @Ip(max)。PCB 的插针插座包含在交货中。

    Behlke HTS 80-26
    低杂散电感快速放电开关。固定导通时间,ton = 180ns。8 kV,260 A,tr <5ns 

    Behlke HTS 181-01-C
    MOSFET 开关,紧凑系列。可变导通时间从 50 ns 到无限。18 kV,12 A,上升时间 < 15 ns。尺寸 79 x 38 x 25 毫米。选择。推荐使用 PT-HV(HV 尾纤)。

    Behlke HTS 151-0 2
    MOSFET 开关,带选项 FC(扁平外壳)和标准连接器。可变导通时间从 50 ns 到无限。15 kVDC,25 A pk,上升时间 < 8 ns。导通电阻 < 30 Ohm。

    Behlke HTS 331-06
    通用 MOSFET 开关,带选项 CF(散热片)、C-DR(驱动器冷却)和 HFS(高频开关)。33 kVDC,60 A。导通电阻 < 33 欧姆。 

    Behlke HTS 61-40
    具有高 di/dt 的 MOSFET 开关。可变导通时间从 300 ns 到无限。6 kVDC,400 安培。上升时间 < 10 ns @Ip(max) 

    Behlke HTS 101-20
    具有高 di/dt 的 MOSFET 开关。可变导通时间从 300 ns 到无限。10 kVDC,200 安培。上升时间 < 12 ns @Ip(max) 

    Behlke HTS 311-130-B
    采用沟槽 FET 技术的具有高 di/dt 的 MOSFET 开关。可变导通时间 300 ns - ∞。31 kVDC,1300 安培。上升时间 < 20 ns @Ip(max)。独立的控制单元。 

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