| 详细参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | HarmonicDrive | 型号 | LA-30B-10-F-L, |
| 类型 | 谐波减速器 | 载荷状态 | 中等冲击载荷 |
| 传动比级数 | 无级 | 轴的相对位置 | 立式加速器 |
| 传动布置形式 | 摆线式 | 加工定制 | 否 |
| 样品或现货 | 现货 | 齿面硬度 | 软齿面 |
| 布局形式 | 摆线式 | 用途 | 变速机 |
| 输入转速 | 3000rpm | 额定功率 | 360kw |
| 输出转速范围 | 50rpm | 许用扭矩 | 691N.m |
| 使用范围 | 化工 | 减速比 | 232 |
| 产地 | 日本 | ||
哈默纳科芯片半导体谐波LA-30B-10-F-L
半导体芯片的制造可以分为制造准备、制造过程两个阶段。哈默纳科芯片半导体谐波LA-30B-10-F-L制造准备阶段需要做的工作包括集成电路设计、掩模板设计制造、硅片的制备、制造环境的创建。芯片制造过程包括的主要工艺有薄膜生成工艺（氧化、淀积）、图形转移工艺（光刻、刻蚀）、掺杂工艺（扩散、离子注入）以及其他辅助工艺（热处理哈默纳科芯片半导体谐波LA-30B-10-F-L、清洗、CMP）等。芯片制造工艺设备按照工艺过程组成相应的生产线。
1. 半导体芯片制造工艺
以64GbCOMS器件制造为例，整个工艺过程大约需要180个主要步骤、52个清洗/剥离步骤以及多达28块掩模板。这些工艺步骤基本上都属于上述四种基本工艺。如果集成电路的特征值进一步减少时，哈默纳科芯片半导体谐波LA-30B-10-F-L需要的工艺步骤数将会增加到500或更多。
