以光学紫外曝光为例，首先将硅片定位在光学系统的聚焦范围内，日本HD三坐标谐波FHA-32C-50-E250-C硅片的对准标记与掩模版上相匹配的标记对准后，紫外光通过光学系统和掩模版图形进行投影。掩模版图形若以亮暗的特征出现在硅片上，这样光刻胶就曝光了。

。该曝光系统包括一个紫外光源、一个光学系统、一块由芯片图形组成的投影掩模版、一个对准系统和涂过光刻胶的硅片。硅片放在可以实现X、Y、Z、q方向运动的承片台上，由对准激光系统实现承日本HD三坐标谐波FHA-32C-50-E250-C片台上的硅片与掩模版之间的对准，由光源系统、投影掩模版、投影透镜实现硅片上光刻胶的曝光。曝光过程包括：聚焦、对准、曝光、步进和重复以上过程。

光学曝光技术经历了不同的发展阶段。按照掩模版与硅片的位置关系区分日本HD三坐标谐波FHA-32C-50-E250-C，从最初的接触式曝光，发展到接近式曝光，直到现在的投影式曝光。曝光光源主要使用紫外光、深紫外光、极紫外光，现今最常用的是：汞灯和准分子聚光光源。